DICCIONARIO DE INFORMÁTICA Y TECNOLOGÍA
  ¿Qué significa celda de memoria? - Información sobre celda de memoria

Definición de celda de memoria (informática)

Leandro Alegsa (Contacto) 2019-06-03

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La célula o celda de memoria es el componente fundamental de la memoria del ordenador. La celda de memoria es un circuito electrónico que almacena un bit de información binaria y debe configurarse para almacenar una lógica 1 (nivel de alta tensión) y reajustarse para almacenar una lógica 0 (nivel de baja tensión). Su valor se mantiene/almacena hasta que se modifica mediante el proceso de set/reset. Se puede acceder al valor de la celda de memoria leyéndola.

A lo largo de la historia de la computación se han utilizado muchas arquitecturas diferentes de celdas de memoria, incluyendo la memoria central y la memoria de burbujas, pero las más comunes son las flip-flops y los condensadores.

La celda de memoria estática SRAM es un tipo de circuito flip-flop, normalmente implementado usando FETs. Éstos requieren muy poca energía para mantener el valor almacenado cuando no se accede a ellos.

Un segundo tipo, la DRAM, se basa en un condensador. La carga y descarga de este condensador puede almacenar un "1" o un "0" en la celda. Sin embargo, la carga en este condensador se escapará lentamente, y debe ser refrescada periódicamente. Debido a este proceso de actualización, la DRAM utiliza más energía, pero puede lograr mayores densidades de almacenamiento.


Descripción de la celda de memoria

La celda de memoria es el componente fundamental de la memoria. Se puede implementar utilizando diferentes tecnologías, como bipolar, MOS y otros dispositivos semiconductores. También se puede construir a partir de material magnético como núcleos de ferrita o burbujas magnéticas.

Independientemente de la tecnología de implementación utilizada, el propósito de la celda de memoria binaria es siempre el mismo. Almacena un bit de información binaria al que se puede acceder leyendo la celda y debe configurarse para almacenar un 1 y un reset para almacenar un 0.


Breve historia

El 11 de diciembre de 1946 Freddie Williams solicitó una patente sobre su dispositivo de almacenamiento de tubo de rayos catódicos (CRT) (Williams tube) con 128 palabras de 40 bits. En ese año, Frederick Viehe presentó las primeras solicitudes de patente para la memoria de núcleo magnético. También contribuyeron a su desarrollo An Wang, Ken Olsen y Jay Forrester.

Las primeras celdas de memoria modernas se introdujeron en 1965, cuando John Schmidt diseñó el primer SRAM de 64 bits de canal p.

El primer SRAM bipolar de 64 bits fue lanzado por Intel en 1969 con el 3101 Schottky TTL. Un año más tarde lanzó el primer chip DRAM, el Intel 1103, que en 1972 batió todos los récords mundiales en ventas de memorias de semiconductores.





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